近日，国家电力投资集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。（财联社）